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ECRプラズマイオン源

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テクニカルデータ  
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Plasma Ion Source GenⅡはシリーズ製品（Atom,Atom/Ion Hybrid)の中核を成す多目的イオン源です。マイクロ波(2.45GHｚ）エネルギーにより生成されるプラズマは四重極磁場によるECR（Electron Cyclotoron Resonance)効果により効率よくイオン生成を行います。

フィラメントレス構造の為O２、H2等のリアクティブガスのイオン化も可能です。プラズマ生成部は高純度の絶縁材料で構成され、その他の構成材料も全てＵＨＶプロセスでの使用に耐える構造です。ＣＦ114（ＤＮ63ＣＦ）フランジマウントによるコンパクトな本体は外部からの導波管接続を必要としません。また、ユーザーによる面倒なチューニング作業も不要です。Atom Source*Atom/Ion Hybrid Source対応の製品も可能です。（詳細は弊社までお問い合せ下さい。）

 
 
 
 
Applications
 
  • ●Ion Beam Assisted Deposition(IBAD)

●Suppter Deposition and Dual Ion Beam Sputtering

  • ●Sputter Cleaning/Surface Proparation in Suaface Science.MBE and HV sputter processes.
  • ●Chemical Assisted Ion Beam Etching (CAIBE)
　
Key Fuatures＆Basic Comprises
  • ●  フィラメントレス
  • ECR方式のイオン源です。リアクティブガス（O2、H2等）のイオン化が可能です。
  • ●  コンパクト、省スペース構造
  •  導波管の接続を必要としないので設置スペースを制限しません。
  • ● チューニング不要（Factory Set）
  • ユーザーによる面倒なチューニング作業は殆ど不要です。
  • ●  ビーム径はアパーチャ交換により選択可能
  • ●  ビューポート
  • リゾネータ内部を視認できるビューポートを装備しています。
  • ● 電流導入端子はホットゾーンから隔離された位置に配置
  • イオン源稼働中の信頼性が向上しました。
  • ● Full UHV対応
  • UHV環境下で使用可能な材質で構成されています。
  • ● オールメタル水冷構造　ベークアウト >200oC       
  • マグネトロン、マグネット等はインストール状態のまま、本体から着脱可能です。
 
　
 Specifications  
 
Vacuum compatibility: Fully UHV compatible
Bakeable: >200oC
Microwave power: 250W max at 2.45GHz
Magnet type: Permanent rare-earth.  Removeable for bakeout without breaking vacuum
Mounting: CF114  (DN63CF)
In vacuum length: 300mm (custom lengths possible):  In vacuum max OD = 57mm
Ion current: 0 – 20mA (max.).  Total beam current measured at 15cm
Ion current density: >2mA/cm2 at 1.3 keV and ~0.05mA/cm2 at <100eV at 120mm distance
Ion energy: 25eV – 2000eV
Beam diameter: ~25mm at source (narrower beams also easily produced)
Extraction grids: Molybdenum (Graphite optionally)
  Focused and collimated beam grid sets available on request
Gas flow rate: 0.01-100sccm typical　(depending on aperture,pumping capability of equipments)
Working pressure: 1x10-7 Torr to 5x10-3  Torr (Typical 500l/s pump)( Lower pressures possible – please contact tectra to discuss your application)
Working Distance: 50mm-300mm.  100mm typical
Cooling: Fully water-cooled (including magnetron).
Power Supplies:MicrowaveGrid supply 19“ rack mount.  3U height.  100VAC, 50/60Hz 19“ rack mount.  3U height.  100VAC, 50/60Hz(* Microwave Gride SupplyユニットはHybride Sourceの場合に必要になります。)
 
　
Options    
【ユニットオプション】
・マスフローユニット
・差動排気ユニット
・ニュートライザー（絶縁体チャージUP防止）
・フォーカスグリッド他各種のグリッド仕様対応
【制御オプション】
・プラズマモニター
・パルスジェネレータ
  
     
     
 
参考文献（Reference)
 
  1. ●　The role of neutral oxygen radicals in the oxidation of Ag films.  A. A. Schmidt, J. Offermann and R. Anton.  Thin Solid Films 281-282 (1996) 105-107.
  3. ●　Design and performance of a versatile cost-effective microwave ECR plasma source for surface and thin film processing. R.Anton, T. Wiegner, W. Naumann, M. Liebmann, C. Klein, C. Bradley. Rev.Sci.Instr. Feb 2000 
 
 ご注意：記載の内容は改良のため予告なく変更される場合があります。（Vol:2006-04）